[发明专利]高频集成电路

摘要

一种具有静电保护元件的高频集成电路，在其输入/输出端上配备有作为静电保护元件的场效应晶体管，由此提供了良好的高频特性，并且提高了ESD电压的抵抗力。该高频集成电路具有高频电路(11)，其具有输入/输出端子，以及增强型场效应晶体管(13)，该晶体管在化合物半导体衬底形成并且放置在所述高频电路中，该晶体管的输入/输出端子中的一个端子连接到所述高频电路的输入/输出端子，另一端子连接到第一参考电位，并且晶体管的栅极经由电阻器(14)连接到第二参考电位。当从所述输入/输出端子施加了噪声或高电压脉冲时，场效应晶体管(13)的阻抗降低了，从而形成ESD保护。

主权项

1、一种高频集成电路，包括：化合物半导体衬底；耗尽型场效应晶体管，其形成在所述化合物半导体衬底上；高频电路，其形成在所述化合物半导体衬底上，并且具有所述耗尽型场效应晶体管；输入/输出端子；增强型场效应晶体管，其形成在所述化合物半导体衬底上，其漏极或源极连接在所述高频电路和所述输入/输出端子之间，并且在其源极或漏极中没有连接在所述高频电路和所述输入/输出端子之间的那一个连接到第二参考电位；以及第一电位，其低于所述高频电路与所述增强型场效应晶体管之间的电位，并且形成在所述化合物半导体衬底上的一个电阻器连接在所述增强型场效应晶体管的栅极和所述第一电位之间。