[发明专利]一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法无效
| 申请号： | 200910138901.6 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101581760A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李平;文玉梅;文静;李恋 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01R31/311 | 分类号： | G01R31/311 |
| 代理公司： | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 | 代理人： | 周韶红 |
| 地址： | 400044重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，特别是一种用于未封装的单个LED芯片或者有多个LED芯片的晶圆的检测方法。它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上，光照的同时，将所述PN结置于交变的磁场(11)中，PN结(1)上形成的交变自发光(3)由会聚透镜组(6)会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入所述检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片/晶圆的检测。采用本发明所述方法可以对LED芯片/晶圆的PN结功能状态进行检测；还可以不接触LED芯片/晶圆实现对LED芯片/晶圆性能参数的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 接触 检测 方法 | ||
【主权项】：
1、一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，其特征在于：它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上，光照的同时，将所述PN结置于交变的磁场(11)中，PN结(1)上形成的交变自发光(3)由会聚透镜组(6)会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入所述检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片/晶圆的检测。
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