[发明专利]防护薄膜组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910138995.7 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101587294A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 久保田芳宏;秋山昌次;进藤敏彦 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种防护薄膜组件，其使用SOI基板，并从单一基板制作出由单晶硅膜所作成的防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)，在基底基板(12)上设置开口部，若防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域的面积为100％，让该开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，同时在基底基板的非曝光区域上设置补强框(12a)。藉由从单一基板制作出防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)(一体化结构)以及在基底基板上设置补强框，而获得强度增加的效果。又，以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为单晶硅膜(11)的主面。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 薄膜 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防护薄膜组件，具备作为防护薄膜的单晶硅膜，其特征为：该防护薄膜与支持该防护薄膜的基底基板是由单一基板所形成，在该基底基板上设置占在该防护薄膜组件使用于光掩模时的曝光区域的比例(开口比)为60％以上的开口部，并在该基底基板的非曝光区域上设置补强框。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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