[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200910139117.7 | 申请日： | 2005-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101546748A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 上杉胜洋;片山克生;酒井克尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及其制造方法。在层间绝缘膜(1)之上形成蚀刻阻止膜(2)。在蚀刻阻止膜(2)之上形成导电层(3)。以覆盖导电层(3)的方式形成蚀刻阻止膜(4)。在蚀刻阻止膜(4)之上形成层间绝缘膜(5)。在上述结构中，首先，在第一蚀刻条件下形成从上下贯通层间绝缘膜(5)、露出蚀刻阻止膜(4)的表面的孔。然后在第二蚀刻条件下除去构成该孔底面的蚀刻阻止膜(4)，形成到达导电层(3)的孔。在孔中埋入连接布线(8)。由此可以防止到达导电层的孔因对准偏差到达下侧的层间绝缘膜的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，包括：第一层间绝缘膜；在上述第一层间绝缘膜之上形成的第一蚀刻阻止膜；在上述第一蚀刻阻止膜之上形成的导电层；以覆盖上述第一蚀刻阻止膜的上表面、上述导电层的一个侧面和上述导电层的上表面的一部分的方式形成的第二蚀刻阻止膜；以覆盖上述第二蚀刻阻止膜和上述导电层的方式形成的第二层间绝缘膜；以在厚度方向上贯通上述第二层间绝缘膜，与上述导电层以及上述第二蚀刻阻止膜接触的方式形成的连接布线，上述导电层由铝或者钨构成。
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