[发明专利]具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法无效
申请号: | 200910139390.X | 申请日: | 2009-05-13 |
公开(公告)号: | CN101593780A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 金允基;金相澔;李斗烈 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/0256;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板,该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层,该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层,第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。 | ||
搜索关键词: | 具有 表面 电极 半导体 太阳能电池 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括:基板,具有在所述基板上的光收集表面和在所述基板中的P-N整流结,所述P-N整流结包括在所述基板中的第一导电型的基区和在所述基区与所述光收集表面之间延伸的第二导电型的半导体层;第一电极,电耦接到所述半导体层;沟槽,延伸通过所述半导体层并进入所述基区;以及第二电极,邻近所述沟槽的底部电耦接到所述基区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的