[发明专利]场效应晶体管及其制造方法和半导体装置有效
| 申请号： | 200910139530.3 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101621079A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 尾藤康则 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/06;H01L29/51;H01L27/098;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种场效应晶体管及其制造方法和半导体装置。J-FET包括第一导电型的沟道层，即掺杂Si的n型AlGaAs电子供给层(3和7)、未掺杂的AlGaAs间隔物层(4和6)和未掺杂的InGaAs沟道层(5)，形成在半绝缘GaAs衬底上方；上半导体层，由至少一个半导体层构成且形成在第一导电型的沟道层上方；第二导电型的半导体层，即掺杂C的p+GaAs层(18)，形成在上半导体层中制作的凹槽中或上半导体层上方；栅电极，布置在第二导电型的半导体层上方且与第二导电型的半导体层接触；和栅极绝缘膜，包括在上半导体层上方形成的且与上半导体层接触的氮化物膜和在氮化物膜上方形成的且具有的厚度比氮化物膜更大的氧化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：第一导电型的沟道层，形成在半导体衬底上方；上半导体层，由至少一个半导体层构成且形成在所述第一导电型的沟道层上方；第二导电型的半导体层，形成在所述上半导体层中制作的凹槽中或形成在所述上半导体层上方；栅电极，布置在所述第二导电型的半导体层上方并且与所述第二导电型的半导体层接触；以及栅极绝缘膜，包括在所述上半导体层上方形成的并且与所述上半导体层接触的氮化物膜以及在所述氮化物膜上方形成的并且具有比所述氮化物膜更大厚度的氧化物膜。
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