[发明专利]介电陶瓷和层积陶瓷电容器有效
申请号: | 200910139935.7 | 申请日: | 2009-07-15 |
公开(公告)号: | CN101628809A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 中村友幸;铃木宏规;村木智则;石原雅之;松田真;笹林武久;盐田彰宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | C04B35/465 | 分类号: | C04B35/465;C04B35/468;C04B35/47;C04B35/48;H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种介电陶瓷,其对于热冲击的耐受性高,因此,适用于形成为了大容量化而薄层化的层积陶瓷电容器的介电陶瓷层。是以ABO3代表的钙钛矿型化合物为主成分介电陶瓷,ABO3譬如为BaTiO3时,其晶粒含有由主成分构成的BaTiO3晶粒(11),并且作为二次相,使之含有由至少含有Mg、Ni和Ti的结晶性氧化物构成的Mg-Ni-Ti-O结晶性氧化物粒子(12),和由至少含有Ba和Si的结晶性氧化物构成的Ba-Si-O系结晶性粒子(13)。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 层积 电容器 | ||
【主权项】:
1.一种介电陶瓷,其特征在于,包括晶粒和晶界,具有以由ABO3表示的钙钛矿型化合物为主成分的组成,其中,A是Ba,或者是Ba以及选自Sr和Ca中的至少一个,B是Ti,或者是Ti以及选自Zr和Hf中的至少一个,所述晶粒包括由所述主成分构成的ABO3系晶粒,并且,作为二次相包括:由至少含有Mg、Ni和Ti的结晶性氧化物构成的含Mg-Ni-Ti结晶性粒子;由至少含有Ba和Si的结晶性氧化物构成的含Ba-Si结晶性粒子。
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