[发明专利]Ⅲ族氮化物类半导体发光元件及外延晶圆无效
| 申请号： | 200910140218.6 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101626058A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 盐谷阳平;京野孝史;秋田胜史;上野昌纪 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;关兆辉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以降低空穴从活性层的溢出而提高量子效率的III族氮化物类半导体发光元件以及用于该III族氮化物类半导体发光元件的外延晶圆。活性层(19)位于p型GaN类半导体区域(15)和空穴阻挡层(17)之间，因此空穴(H)从p型GaN类半导体区域(15)供给到活性层(19)。空穴阻挡层(17)的厚度(D17)小于GaN类半导体层(13)的厚度(D13)。空穴阻挡层(17)的带隙(G17)大于GaN类半导体区域(23)的带隙的最大值，因此空穴阻挡层(17)对要从活性层(19)溢出的空穴起到障壁(ΔGH)的作用。因此，空穴阻挡层(17)降低了从活性层(19)溢出并到达GaN类半导体区域(23)的空穴的量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 发光 元件 外延 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物类半导体发光元件，其特征在于，包括：n型氮化镓类半导体区域，具有沿着预定平面延伸的主面；p型氮化镓类半导体区域；由第一氮化镓类半导体构成的空穴阻挡层；和由氮化镓类半导体构成的活性层，该活性层设置在上述p型氮化镓类半导体区域和上述空穴阻挡层之间，上述空穴阻挡层及上述活性层配置在上述n型氮化镓类半导体区域的上述主面和上述p型氮化镓类半导体区域之间，上述n型氮化镓类半导体区域的c轴相对于上述预定平面的法线倾斜，上述空穴阻挡层的带隙大于上述n型氮化镓类半导体区域的带隙，上述空穴阻挡层的带隙大于上述活性层中的带隙的最大值，上述空穴阻挡层的厚度小于上述n型氮化镓类半导体区域的厚度。
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