[发明专利]ULSI半导体器件的具有自组装单分子层的铜线及形成方法有效
| 申请号： | 200910140384.6 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101853782A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 廉胜振;金载洪;姜圣君;韩元奎 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司;汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供用于ULSI半导体器件的具有自组装单分子层的铜线及其制造方法。铜线包括：层间电介质、自组装单分子层、在该单分子层上的催化颗粒、以及在具有催化颗粒的单分子层上的铜层。所述方法包括以下步骤：在具有金属线形成区域的半导体衬底上形成层间电介质；在金属线形成区域上形成自组装单分子层；在自组装单分子层上吸附催化颗粒；使用化学镀工艺在吸附具有催化颗粒的自组装单分子层上形成铜籽晶层；和在铜籽晶层上形成铜层以填充金属线形成区域。 | ||
| 搜索关键词： | ulsi 半导体器件 具有 组装 单分子层 铜线 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成自组装单分子层的方法，包括以下步骤：改性半导体衬底的表面以形成在所述半导体的表面结合的氢基；使Cl2气体流动到并使UV辐射到经受表面改性的所述半导体衬底上，以使得氯基取代在所述半导体衬底的表面处结合的所述氢基；和使NH3气体流动到在所述半导体衬底的表面结合所述氯基的所述表面上，以使得胺基取代在所述半导体衬底的表面处结合的所述氯基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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