[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及电子设备有效
| 申请号： | 200910140435.5 | 申请日： | 2004-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101562197A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 奥村展 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L29/12;H01L29/06;H01L27/12;G02F1/1368;H01L27/32;H04M1/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷;南 霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及电子设备。薄膜晶体管的特征在于，由具有热容量大的大热容量部分和热容量小的小热容量部分的多晶半导体薄膜构成，所述小热容量部分至少被用作沟道部分，所述多晶半导体薄膜由下述的晶粒膜形成，所述晶粒膜通过所述小热容量部分完全熔化而所述大热容量部分不完全熔化的能量密度的激光退火而形成，并且形成于所述小热容量部分上的所述沟道部分的沟道宽度方向上的端部比所述大热容量部分的沟道宽度方向上的端部位于内侧。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，由具有热容量大的大热容量部分和热容量小的小热容量部分的多晶半导体薄膜构成，所述小热容量部分至少被用作沟道部分，所述多晶半导体薄膜由下述的晶粒膜形成，所述晶粒膜通过所述小热容量部分完全熔化而所述大热容量部分不完全熔化的能量密度的激光退火而形成，并且形成于所述小热容量部分上的所述沟道部分的沟道宽度方向上的端部比所述大热容量部分的沟道宽度方向上的端部位于内侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910140435.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
