[发明专利]背面照明成像器件及其制造方法、半导体基片和成像设备

摘要

本发明提供背面照明成像器件及其制造方法、半导体基片和成像设备。一种背面照明成像器件通过从p型基片的背面照射光以基于光而在基片中产生电荷、并且从所述基片的正面读取电荷来进行成像。该器件包括：半导体基片中的第一半导体层，所述第一半导体层具有第一电导率并且累积电荷；处在半导体基片背面内侧并且具有与第一电导率类型相反的第二电导率的第二半导体层；以及处在第一半导体层和第二半导体层之间的第三半导体层，所述第三半导体层具有1.0×10¹⁴/cm³或更低的杂质浓度。

主权项

1.一种背面照明成像器件，其通过从半导体基片的背面照射光以基于光而在半导体基片中产生电荷、并且从所述半导体基片的正面读取电荷来进行成像，所述器件包括：半导体基片中的第一半导体层，所述第一半导体层具有第一电导率并且累积电荷；处在半导体基片背面内侧并且具有与第一电导率类型相反的第二电导率的第二半导体层；以及处在第一半导体层和第二半导体层之间的第三半导体层，所述第三半导体层具有1.0×1014/cm3或更低的杂质浓度。