[发明专利]8晶体管型低漏电静态随机存取内存单元有效
| 申请号： | 200910140788.5 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101740116A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吴瑞仁;陈炎辉;周绍禹;廖宏仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种静态随机存取内存(static random access memory，SRAM)单元，包含一对交错耦合反向器，含有第一储存节点，以及第一N型金属氧化物半导体晶体管，含有栅极，第一与第二源/漏极，分别与第一储存节点，读入字符线(read word-line，RWL)以及第一读入位线(read bit-line，RBL)相连，读入字符线以及第一读入位线在进行读取动作时被启动，而在进行写入动作时不被启动。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 漏电 静态 随机存取 内存 单元 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取内存单元，其特征在于，包含：一对交错耦合反向器，含有一第一储存节点；以及一第一N型金属氧化物半导体晶体管，含有一栅极，一第一与一第二源/漏极，分别与该第一储存节点，一读入字符线以及一第一读入位线相连，该读入字符线以及该第一读入位线在进行一读取动作时被启动，而在进行任一写入动作时不被启动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910140788.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
