[发明专利]具有反耦合电容的集成电路有效
| 申请号： | 200910141083.5 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101677101A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 涂国基;朱惠祺;江国诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/13;H01L23/522;H01L27/108;H01L29/92 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有反耦合电容的集成电路，包括一电路模块，其具有耦接至一对电源供应节点之间的多个有源元件；一反耦合电容模块，耦接至上述电路模块，上述反耦合电容模块包括多个金属-电容-金属电容，以串联方式耦接于上述对电源供应节点之间，其中介于上述电源供应节点之间的电压经由上述多个金属-电容-金属电容分压，因而降低施加于上述多个金属-电容-金属电容的电压应力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 耦合 电容 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种具有反耦合电容的集成电路，包括：一电路模块，其具有耦接至一对电源供应节点之间的多个有源元件；以及一反耦合电容模块，耦接至该电路模块，该反耦合电容模块包括多个金属-电容-金属电容，以串联方式耦接于该对电源供应节点之间，其中介于该电源供应节点之间的电压经由所述多个金属-电容-金属电容分压，因而降低施加于所述多个金属-电容-金属电容的电压应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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