[发明专利]纳米结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910141087.3 | 申请日： | 2003-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101562205A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森;约纳斯·比约恩·奥尔松 | 申请（专利权）人： | 库纳诺公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/102;H01L27/144 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电装置，其包括：设有接点区的衬底；至少一个从所述接点区延伸的纳米晶须，所述纳米晶须形成至少部分的用于光吸收的p-n结；在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极。本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的太阳能电池，其中所述光电装置适于将阳光转变为电力。此外，本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的光电探测器，其中所述光电装置适于探测辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电装置，包括：设有接点区(193)的衬底；至少一个从所述接点区(193)延伸的纳米晶须(190)，所述纳米晶须(190)形成至少部分的用于光吸收的p-n结；在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极(196)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
