[发明专利]发光二极管与其制造方法有效
| 申请号： | 200910141123.6 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101656286A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈鼎元;邱文智;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管元件及其制造方法。该LED具有一基材，一反射结构形成于基材之上，与一LED结构形成于反射结构之上。此反射结构由非金属材料所组成。在一实施例中，反射结构由交替的、具有不同折射率的非金属材料所阻成。在另一实施例中，反射结构由交替的高孔隙度硅层与低孔隙度硅层所组成。在又一实施例中，反射结构由二氧化硅所组成，其可使用较少层的反射层。反射结构可以直接形成于与LED结构相同的基材上，或者是分别形成反射结构与LED结构，之后再将反射结构接合至LED结构。本发明可以很好的解决现有技术中存在的问题，提高LED结构的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管元件，包括：一基材；一非金属反射层位于该基材的表面上；以及一发光二极管结构形成于该非金属反射层之上。
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