[发明专利]具有扩展的电压范围的功率器件的自保护结构及方法有效
| 申请号： | 200910141152.2 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101593776A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 弗兰茨娃·赫尔伯特 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/62;H01L23/48;H01L29/43;H01L23/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁;王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 一种垂直半导体功率器件，其包括由半导体衬底的顶部表面和底部表面构成的一垂直电流路径，以导通贯穿的电流。该半导体功率器件还包括一由具有正温度系数电阻的材料构成的过电流保护层，该过电流保护层作为垂直电流路径的一部分，并连接到所述的垂直半导体功率器件的源极，用以对垂直半导体功率器件的栅极提供一反馈电压，以限制电流的贯穿，从而在任何的电压下保护半导体功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩展 电压 范围 功率 器件 保护 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种垂直半导体功率器件，包括：由半导体衬底的顶部表面和底部表面构成的一垂直电流路径，以导通贯穿半导体衬底的电流；以及一由具有正温度系数电阻的材料构成的过电流保护层，其作为所述的垂直电流路径的一部分，并连接到所述的垂直半导体功率器件的源极，用以限制贯穿的电流，从而在任何的电压下可以保护半导体功率器件，而不受所述的过电流保护层的电压等级的限制。
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