[发明专利]硅穿孔的制造方法

摘要

一种硅穿孔的制造方法如下所述。首先，提供一晶圆，晶圆具有一主动面、一背面以及覆盖于主动面的一保护层。接着，形成至少一第一蚀孔，第一蚀孔贯穿晶圆。然后，形成一绝缘材料于保护层上，以形成一绝缘层，且部分绝缘材料填入于第一蚀孔中，以形成一绝缘柱体。之后，形成至少一第二蚀孔，第二蚀孔贯穿绝缘柱体，以使绝缘柱体于第一蚀孔中形成一中空部。接着，形成一焊料于中空部的端部上，并加热焊料，以使焊料熔化，其中晶圆外与中空部内形成有一压力差，焊料经由压力差填入于中空部中，以形成一导电柱。

主权项

一种硅穿孔的制造方法，包括：提供一晶圆，该晶圆具有一主动面、一背面以及覆盖于该主动面的一保护层；形成至少一第一蚀孔，该第一蚀孔贯穿该晶圆；形成一第一绝缘材料于该保护层上，以形成一第一绝缘层，且部分该第一绝缘材料填入于该第一蚀孔中，以形成一绝缘柱体；形成至少一第二蚀孔，该第二蚀孔贯穿该绝缘柱体，以使该绝缘柱体于该第一蚀孔中形成一中空部；形成一焊料于该中空部的端部上，并加热该焊料，以使该焊料熔化，其中该晶圆外与该中空部内形成有一第一压力差，该焊料经由该第一压力差填入于该中空部中，以形成一导电柱。