[发明专利]制造半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 200910141557.6 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101599453A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/268;H01L21/78;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 以离子照射单晶半导体衬底的表面，以便在单晶半导体衬底内形成受损区域。在所述单晶半导体衬底的表面上形成绝缘层。彼此接触地布置具有绝缘表面的衬底的表面和所述绝缘层的表面，以便彼此接合具有所述绝缘表面的衬底和所述单晶半导体衬底。执行热处理，以便沿着所述受损区域划分所述单晶半导体衬底，并且在具有所述绝缘表面的衬底上形成半导体层。在不熔化所述半导体层的情况下以来自闪光灯的光照射所述半导体层的表面，以便修复缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体衬底的方法，包括如下步骤：以离子照射单晶半导体衬底的表面，以在所述单晶半导体衬底中形成受损区域；在所述单晶半导体衬底的表面之上形成绝缘层；彼此接触地布置具有绝缘表面的衬底的表面和所述绝缘层的表面，以便将具有所述绝缘表面的衬底与所述单晶半导体衬底彼此接合；执行热处理，以便沿着所述受损区域划分所述单晶半导体衬底，并且在具有所述绝缘表面的衬底之上形成半导体层；和在不熔化所述半导体层的情况下以来自闪光灯的光照射所述半导体层的表面，以便修复缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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