[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供一种半导体器件，所述半导体器件包括具有在半导体衬底上方形成的硅化物层的晶体管。每个晶体管的栅电极由多晶硅电极和在其上形成的硅化物层来构成。每个晶体管还具有由低浓度掺杂区域和高浓度掺杂区域构成的源/漏杂质扩散层，以及在源/漏杂质扩散层上方形成的硅化物层。每个硅化物层的表面被定位在半导体衬底的表面上方。硅化物层包括硅化抑制金属，以及具有在从表面到预定深度的范围内的硅化物层的区域上方的硅化抑制金属的浓度分布，如在半导体衬底的深度方向上从每个硅化物层的表面增加浓度。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；晶体管，提供在所述半导体衬底上方；以及硅化物层，提供在所述晶体管的杂质扩散层上方；其中，所述硅化物层包含硅化抑制金属，在所述硅化物层的从表面到预定深度的范围的区域上，所述硅化物层中的所述硅化抑制金属的浓度在所述半导体衬底的深度方向上从所述硅化物层的表面增加，以及每个硅化物层的表面被定位在所述半导体衬底的表面上方。