[发明专利]形成高质量的低温氮化硅层的方法和设备有效
| 申请号： | 200910141773.0 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101572232A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | S·王;E·A·C·桑柴兹;A·(史蒂文)·陈 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/324;C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民;路小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了形成氮化硅层的方法。根据本发明，通过在低沉积温度下(例如，小于550℃)热分解含硅/氮源气体，或含硅源气体和含氮源气体形成氮化硅层。该热沉积氮化硅层然后用氢自由基处理，以形成处理过的氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 质量 低温 氮化 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种加工衬底的方法，包括：加热衬底至550℃或更低的温度；热分解含硅和氮源气体，或含硅源气体和含氮源气体，以在所述衬底表面上沉积氮化硅层，其中所述含硅源气体或所述含硅和氮源气体包含具有选自Si-Si、N＝N和N-N的一个或多个键的化合物；和然后将所述沉积的氮化硅层暴露于氢自由基，其中所述氢自由基通过含氢源气体的等离子体分解而被形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
