[发明专利]发光元件及其制作方法有效
| 申请号： | 200910142009.5 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101901855A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 杨鸿志;沈豫俊;刘欣茂 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。该发光元件包含接触层，其局部区域为粗化结构，局部区域为平坦结构；及电流散布层，位于接触层之上，其局部区域为粗化结构，局部区域为平坦结构，使得电流散布层粗化结构区域大致上完全堆叠于接触层粗化结构区域之上。根据本发明的发光元件具有高光摘出效率和良好电流散布效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光元件，具有表面局部粗化结构，该发光元件包括：半导体外延结构；接触层，位于该半导体外延结构之上，包含至少一粗化区域与一平坦区域；及电流散布层，位于该接触层之上，包含至少一粗化区域与一平坦区域，其中该接触层粗化区域与该电流散布层粗化区域大致上对应，该接触层平坦区域与该电流散布层平坦区域大致上对应。
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