[发明专利]薄膜电晶体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910142100.7 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101562198A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 谢信宏;柯凯元 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽;唐秀萍 |
| 地址： | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜电晶体结构，包含有：一源极；一汲极；一与源极及汲极接触的主动层，其具有一供电子或电洞移动之通道；一蚀刻阻挡层，设置於主动层上；一闸极；以及一绝缘层，介於闸极与主动层之间；其中蚀刻阻挡层的宽度大於主动层之通道的宽度。该薄膜电晶体结构，将不会因为蚀刻阻挡层乾蚀刻时的电浆轰击，而造成薄膜电晶体元件失效，对于氧化物薄膜电晶体结构之应用甚有帮助。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电晶体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电晶体结构，至少包含有：一源极；一汲极；一与该源极及该汲极接触的主动层，其具有一供电子或电洞移动之通道；以及一蚀刻阻挡层，设置於该主动层上；其特征在于：该蚀刻阻挡层的宽度大於该主动层之通道的宽度。
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