[发明专利]包括薄膜晶体管的阵列基板及其制造方法

摘要

包括薄膜晶体管的阵列基板及其制造方法。一种制造阵列基板的方法包括：形成选通线和连接到选通线的栅极；在选通线和栅极上形成栅绝缘层；在栅极上方在栅绝缘层上顺序形成本征非晶硅图案和掺杂非晶硅图案；在栅绝缘层上形成数据线且在掺杂非晶硅图案上形成源漏极，数据线与选通线交叉以限定像素区域，源漏极彼此隔开；去除掺杂非晶硅图案中通过源漏极露出的部分以限定欧姆接触层；通过源漏极在本征非晶硅图案上照射第一激光束以形成有源层，有源层包括多晶硅的第一部分和第一部分两侧的非晶硅的第二部分；在数据线、源漏极上形成钝化层，钝化层具有露出漏极的漏接触孔；在像素区域中在钝化层上形成像素电极，像素电极通过漏接触孔连接到漏极。

主权项

一种制造阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：形成选通线和连接到所述选通线的栅极；在所述选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅极上方在所述栅绝缘层上顺序形成本征非晶硅图案和掺杂非晶硅图案；在所述栅绝缘层上形成数据线且在所述掺杂非晶硅图案上形成源极和漏极，所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区域，并且所述源极和漏极彼此隔开；去除所述掺杂非晶硅图案中通过所述源极和漏极而露出的部分以限定欧姆接触层；通过所述源极和漏极在所述本征非晶硅图案上照射第一激光束以形成有源层，该有源层包括多晶硅的第一部分和位于所述第一部分两侧的非晶硅的第二部分；在所述数据线、所述源极和所述漏极上形成钝化层，所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔；以及在所述像素区域中在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述漏接触孔连接到所述漏极。