[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200910142660.2 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101609828A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 川下道宏;吉村保广;田中直敬;内藤孝洋;赤泽隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/485;H01L25/00;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。如果在芯片背面形成贯通电极以及背面布线，则通过作为贯通电极的一部分的背面布线焊盘以及背面布线，在芯片背面形成凸部。以此为原因，在吸附芯片时引起空气的泄漏而引起芯片吸附力降低。在形成背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)的区域中，预先形成凹部(100)。在该凹部(100)内部设置背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)。由此，通过由于背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)厚度而产生的凸部，确保芯片(1C)背面的平坦性，而不会在处理芯片(1C)时造成吸附力降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：具有第一面以及与其相反一侧的第二面的半导体衬底；形成在上述半导体衬底的第一面上的层间绝缘膜；在上述半导体衬底的第一面上隔着上述层间绝缘膜形成的第一导电膜；形成在上述半导体衬底的第二面中的凹部；形成在上述凹部的底面，且达到上述第一导电膜的孔；形成在上述凹部的底面上的绝缘膜；以及在上述凹部的底面上隔着上述绝缘膜形成，且与上述第一导电膜电连接而形成在上述孔的底面上的第二导电膜。
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