[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其形成方法

摘要

本发明涉及薄膜晶体管阵列基板及其形成方法。该阵列基板包括：绝缘基底；第一金属层，位于绝缘基底上方，其第一部分形成TFT的栅极，栅极与扫描线电连接；栅极绝缘层，覆盖在第一金属层和绝缘基底的上方；非晶硅层和第一导电透明材料层，都位于栅极绝缘层上方；掺杂非晶硅层，位于非晶硅层上方，与非晶硅层一起形成TFT的半导体层；第二金属层，位于掺杂非晶硅层及第一导电透明材料层上方，其第一部分形成TFT的源极和漏极，源极与数据线电连接；钝化层，位于第二金属层上方，用作所述绝缘体；第二导电透明材料层，位于钝化层上方，其第一部分形成与漏极电连接的像素电极。其中，第一导电透明材料层形成公共电极的一部分。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板(200)，具有数据线和扫描线，并由数据线与扫描线交叉排列以限定像素区域，所述阵列基板还具有薄膜晶体管和存储电容，所述存储电容包括像素电极和公共电极以及夹在二者之间的绝缘体，所述阵列基板包括：绝缘基底(101)；第一金属层(M1)，位于所述绝缘基底上方，所述第一金属层的第一部分形成所述薄膜晶体管的栅极(102)及所述扫描线，所述栅极与所述扫描线电连接；栅极绝缘层(103)，覆盖在所述第一金属层和所述绝缘基底的上方；非晶硅层(204)和第一导电透明材料层(208)，都位于所述栅极绝缘层上方；掺杂非晶硅层(2041)，位于所述非晶硅层上方，与所述非晶硅层一起形成所述薄膜晶体管的半导体层；第二金属层(M2)，位于所述掺杂非晶硅层及所述第一导电透明材料层上方，所述第二金属层的第一部分(M21)形成所述薄膜晶体管的源极(105)和漏极(106)，所述源极与所述数据线电连接；钝化层(107)，位于所述第二金属层上方，用作所述绝缘体；第二导电透明材料层(209)，位于所述钝化层上方，所述第二导电透明材料层的第一部分形成所述像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接，其中，所述第一导电透明材料层形成所述公共电极的一部分。