[发明专利]压电薄膜元件有效
| 申请号： | 200910145449.6 | 申请日： | 2009-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101599527A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 柴田宪治;冈史人;末永和史 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/187;C04B35/495 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用了具有可代替PZT薄膜的压电特性的KNN压电薄膜的压电薄膜元件。在硅基板(1)上具有下部电极(2)、压电薄膜(3)和上部电极(4)的压电薄膜元件中，上述压电薄膜(3)具有用一般式(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1-xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 元件 | ||
【主权项】：
1.一种压电薄膜元件，在硅基板上具有下部电极、压电薄膜和上部电极，其特征在于，上述压电薄膜具有用一般式(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1-xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。
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