[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

摘要

本发明涉及等离子体处理装置及处理方法，在等离子体处理中，向能减压的腔室内流入处理气体并形成高频电场以生成等离子体，对配置于腔室内的基板施以等离子体处理，按如下方式形成磁场：在腔室内的等离子体生成空间中，磁力线通过比基板外周端还处于半径方向外侧的周边等离子体区域，但不通过比周边等离子区域更位于内侧的主等离子体区域，将等离子体封闭在磁场内侧的等离子体生成空间，磁力线的始点和终点相对于腔室中心在半径方向上的距离不同、且始点及终点至少一方相比于腔室侧壁而位于半径方向内侧，磁力线始点及终点分别位于周边等离子体区域上下方或者下上方，从始点出发的磁力线从上向下或者反之横切周边等离子体区域并到达所述终点。

主权项

1、一种等离子体处理方法，向能减压的腔室内流入处理气体并形成高频电场，生成所述处理气体的等离子体，在大体水平地配置于所述腔室内的规定位置处的被处理基板上，在所述等离子体下施以所希望的等离子体处理，其特征在于，按照如下方式形成磁场：在所述腔室内的等离子体生成空间中，在比所述被处理基板的外周端还处于所述腔室的半径方向外侧的周边等离子体区域，磁力线通过该区域内，所述磁力线不通过比所述周边等离子区域更位于内侧的主等离子体区域内，从而将所述等离子体封闭在所述磁场的内侧的等离子体生成空间，所述磁力线的始点和终点相对于所述腔室中心的所述腔室的半径方向上的距离不同、而且所述磁力线的始点及终点至少一方相比于所述腔室侧壁而位于所述腔室的半径方向内侧，在所述磁场中，所述磁力线始点及终点分别位于所述周边等离子体区域上方和下方，从所述始点出发的所述磁力线从上向下横切所述周边等离子体区域并到达所述终点，或者，在所述磁场中，所述磁力线始点及终点分别位于所述周边等离子体区域下方和上方，从所述始点出发的所述磁力线从下向上横切所述周边等离子体区域并到达所述终点。