[发明专利]内容可寻址存储器有效

专利信息
申请号: 200910146007.3 申请日: 2009-06-05
公开(公告)号: CN101908375A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 江明澄 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: G11C15/04 分类号: G11C15/04;G11C11/34;G11C8/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种内容可寻址存储器,包含两个存储单元。其中一个存储单元包括:数据存储单位,存储第一数据位;比较电路,比较第一搜索位与第一数据位是否匹配,以输出第一比较结果;及静态互补式金属氧化物半导体逻辑电路,对第一比较结果进行逻辑运算,以输出第一匹配结果。其中另一存储单元包括:数据存储单位,存储第二数据位;比较电路,比较第二搜索位与第二数据位是否匹配,以输出第二比较结果;及静态互补式金属氧化物半导体逻辑电路,对第一匹配结果及第二比较结果进行逻辑运算,以输出输出匹配结果。
搜索关键词: 内容 寻址 存储器
【主权项】:
一种内容可寻址存储器,包括:第一存储单元,包括:第一数据存储单位,用以存储第一数据位;第一比较电路,耦接至所述第一数据存储单位,用以比较第一搜索位与所述第一数据位是否匹配,以输出第一比较结果;以及第一静态互补式金属氧化物半导体逻辑电路,耦接至所述第一比较电路,用以对所述第一比较结果进行逻辑运算,以输出第一匹配结果;以及第二存储单元,包括:第二数据存储单位,用以存储第二数据位;第二比较电路,耦接至所述第二数据存储单位,用以比较第二搜索位与所述第二数据位是否匹配,以输出第二比较结果;以及第二静态互补式金属氧化物半导体逻辑电路,耦接至所述第一静态互补式金属氧化物半导体逻辑电路及所述第二比较电路,用以对所述第一匹配结果及所述第二比较结果进行逻辑运算,以输出输出匹配结果。
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