[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 200910146177.1 | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101859870A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王郁仁;高雅真;林春荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;G11C11/15 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储装置，包括：一底电极，位于一半导体基底上；一反铁磁层，设置于该底电极之上；一第一固定参考层，设置于该反铁磁层之上；一穿隧绝缘层，设置于该第一固定参考层之上；一第一铁磁层，设置于该穿隧绝缘层之上；一第二铁磁层，设置于该第一铁磁层之上；以及一顶电极，设置于该第二铁磁层之上。本发明的半导体存储装置可降低其写入电流且不会劣化其磁阻值与热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：一底电极，位于一半导体基底上；一反铁磁层，设置于该底电极之上；一第一固定参考层，设置于该反铁磁层之上；一穿隧绝缘层，设置于该第一固定参考层之上；一第一铁磁层，设置于该穿隧绝缘层之上；一第二铁磁层，设置于该第一铁磁层之上；以及一顶电极，设置于该第二铁磁层之上。
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