[发明专利]相变式存储装置和其操作方法有效

专利信息
申请号: 200910146275.5 申请日: 2009-06-26
公开(公告)号: CN101685669A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 林昱佑;陈逸舟 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种相变式存储装置和其操作方法,其中的操作存储单元的方法,包括一可程序化至多个阻值状态的相变存储元件,方法包括:施加一第一脉冲通过相变存储元件以将该阻值状态由一第一阻值状态改为一第二阻值状态,第一脉冲具有一前缘与一后缘,其中在第一脉冲的该前缘与第一脉冲的后缘之上的半峰全宽点被定义为一第一脉冲宽度;以及施加一第二脉冲通过相变存储元件以决定该阻值状态,第二脉冲具有一前缘与一后缘,其中在第二脉冲的该前缘与第二脉冲的后缘之上的半峰全宽点被定义为一第二脉冲宽度,第二脉冲的前缘的该半峰全宽点与第一脉冲的后缘的半峰全宽点之间相隔一时段,其中第一脉冲宽度与时段的一总和小于或等于70纳秒,且第一脉冲宽度小于时段。
搜索关键词: 相变 存储 装置 操作方法
【主权项】:
1.一种操作存储单元的方法,其中存储单元包括一可程序化至多个阻值状态的相变存储元件,该操作存储单元的方法包括:施加一第一脉冲通过该相变存储元件以将该阻值状态由一第一阻值状态改为一第二阻值状态,该第一脉冲具有一前缘与一后缘,其中在该第一脉冲的该前缘与该第一脉冲的该后缘之上的半峰全宽点被定义为一第一脉冲宽度;以及施加一第二脉冲通过该相变存储元件以决定该阻值状态,该第二脉冲具有一前缘与一后缘,其中在该第二脉冲的该前缘与该第二脉冲的该后缘之上的半峰全宽点被定义为一第二脉冲宽度,该第二脉冲的该前缘的该半峰全宽点与该第一脉冲的该后缘的该半峰全宽点之间相隔一时段,其中该第一脉冲宽度与该时段的一总和小于或等于70纳秒,且该第一脉冲宽度小于该时段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910146275.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code