[发明专利]铜溅射靶材料和溅射法有效
| 申请号： | 200910146299.0 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101619444A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 外木达也;辰巳宪之;井坂功一;本谷胜利;小田仓正美 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种铜溅射靶材料及溅射法，不用改变成膜条件(成膜中的压力，成膜中使用的气体种类等)，就可以减少成膜的铜膜中的拉伸残留应力。本发明中涉及的铜溅射靶材料(10)具有由铜材料构成的溅射面(12)，该溅射面(12)具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，该一个晶体取向面通过已加速的规定的惰性气体离子照射放出比从其它晶体取向面弹出的溅射粒子的能量大的溅射粒子，该一个晶体取向面占一个晶体取向面和其它晶体取向面的总和的比例为15％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 材料 | ||
【主权项】：
1.一种铜溅射靶材料，其特征在于，具有由铜材构成的溅射面，所述溅射面具有一个晶体取向面和其它晶体取向面，所述一个晶体取向面通过已加速的规定的惰性气体离子的照射而放出的溅射粒子的能量，比从所述其它晶体取向面弹出的溅射粒子的能量大，所述一个晶体取向面占所述一个晶体取向面和所述其它晶体取向面的总和的比率为15％以上。
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