[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910146486.9 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101615595A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 姜旻圭 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L21/71;H01L27/146;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该方法包括：在其中形成有多个光电二极管的半导体衬底上形成层间绝缘膜，在层间绝缘膜上形成多个与光电二极管相对应的滤色器层，在包括各个滤色器层的半导体衬底的整个表面上方形成平坦化层，在位于滤色器层的边界上方的平坦化层上形成一个以上的间隙绝缘膜，以及在间隙绝缘膜之间的平坦化层上形成一个以上的微透镜，以与各个光电二极管相对应。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：在其中形成有多个光电二极管的半导体衬底上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成多个与所述光电二极管相对应的滤色器层；在包括所述各个滤色器层的所述半导体衬底的整个表面上方形成平坦化层；在位于所述滤色器层的边界上方的所述平坦化层上形成一个以上的间隙绝缘膜；以及在所述间隙绝缘膜之间的所述平坦化层上形成一个以上的微透镜，以与所述各个光电二极管相对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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