[发明专利]覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法无效
| 申请号： | 200910146757.0 | 申请日： | 2009-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101937950A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 吕联祥 | 申请（专利权）人： | 吕联祥 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/782 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法，在磊晶层预设位置处蚀刻致使基板部分露出形成第一沟槽，且磊晶层另一预设位置再蚀刻有使N型氮化镓欧姆接触层部分露出的第二沟槽，所述的第一沟槽一侧的P型氮化镓欧姆接触层表面，依序形成有透光导电层、N型电极衬垫、第一绝缘保护层、金属反射层以及第二绝缘保护层，而第一沟槽另一侧的N型氮化镓欧姆接触层表面，则依序形成有透光导电层、N型电极衬垫、第一绝缘保护层以及第二绝缘保护层，上述，不仅能使P型电极衬垫与N型电极衬垫呈一齐平而顺利电性连接于电路板，且因金属反射层不参与导电便能有效避免顺向电压的不当升高，以减少耗电量以及热能，有效提升发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 覆晶式 氮化 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法，其制造步骤包括有：(A)提供一氮化镓系发光二极管磊晶层的晶圆；(B)在磊晶层预设位置蚀刻形成有致使基板露出部分的第一沟槽；(C)在第一沟槽邻近与外侧分别蚀刻形成有致使N型氮化镓欧姆接触层部分露出的复数第二沟槽；(D)在磊晶层表面形成有透光导电层；(E)在部分透光导电层表面分别加工而形成P型电极衬垫以及N型电极衬垫；(F)在P型电极衬垫、N型电极衬垫、第一沟槽以及第二沟槽加工而形成有第一绝缘保护层；(G)邻近P型电极衬垫且相对透光导电层的一侧表面加工而形成有金属反射层；(H)在第一绝缘保护层以及金属反射层表面加工而形成有第二绝缘保护层。
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