[发明专利]金属氧化物半导体的结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种金属氧化物半导体的结构及其制造方法，其制造方法包含提供一第一导电型的半导体衬底；于该半导体衬底的一第一表面上形成一第一外延层；于该第一外延层中形成复数个深沟槽；于该些深沟槽中形成与该第一外延层的导电型相反的复数个掺杂柱；于该些掺杂柱及该第一外延层上形成一第一导电型的第二外延层；于该第二外延层中形成复数个栅极区及复数个源极区。借此，直接以外延生长该些掺杂柱而可减少逐层外延所需的光罩次数，并可降低生产成本。

主权项

一种金属氧化物半导体的结构，具有一主动区，该主动区包含：一半导体基底，其包含：第一导电型的一半导体衬底，该半导体衬底具有一第一表面及一第二表面；一第一外延层，形成于该第一表面上，该第一外延层并具有复数个深沟槽；及复数个掺杂柱，形成于该些深沟槽中，该掺杂柱的导电型与该第一外延层相反；复数个第一浅沟槽及复数个第二浅沟槽，交替地形成于该半导体基底中，该些第一浅沟槽向下延伸至相对应的该掺杂柱，并且，该第一浅沟槽的宽度大于该第二浅沟槽；复数个栅极区，分别位于该些第一浅沟槽内；复数个源极区，形成于该些第一浅沟槽与该些第二浅沟槽之间；及一源极金属导线，连接该些源极区。