[发明专利]一种光电集成电路及衬底制备方法无效
| 申请号： | 200910147801.X | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101566705A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 王志玮;杨荣;陈旺 | 申请（专利权）人： | NANO科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/13 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 颜 镝 |
| 地址： | 100190北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电集成电路，包括由部分表面区域(5)的顶层硅薄膜(2)和另一部分表面区域(6)的外延硅岛(9)构成的混合衬底，在顶层硅薄膜之下设有二氧化硅埋层，在部分表面区域(5)设有光学器件(7)，在另一部分表面区域(6)设有电学器件(8)。本发明还涉及一种混合衬底制备方法。本发明通过选择性外延和刻蚀/光刻等手段在绝缘体硅衬底上实现了外延硅岛/顶层硅薄膜的混合衬底，分别对应电学器件和光学器件，从而能够分别实现这两种衬底的优化设计，避免了由于光学器件及电学器件的衬底规格折衷带来的整体性能降低和开发成本增加的问题，同时可以充分利用已有的体硅电学集成电路设计和制造资源，降低系统设计和开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 集成电路 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光电集成电路，包括由部分表面区域(5)的顶层硅薄膜(2)和另一部分表面区域(6)的外延硅岛(9)构成的混合衬底，在所述顶层硅薄膜之下设有二氧化硅埋层，在所述部分表面区域(5)设有光学器件(7)，在所述另一部分表面区域(6)设有电学器件(8)。
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