[发明专利]真空加热设备有效
| 申请号： | 200910148681.5 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101615573A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 正木宣行;流石勇一;柴垣真果;土井浩志 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司;佳能安内华工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种真空加热设备。防止由于真空加热设备中的辐射加热导致的O型圈的劣化，从而允许以良好的退火特性对基板进行热处理。真空加热设备(1)包括：真空室(2)，其由具有开口部(9)并且被接合在一起的凸缘(11，12)构成；涡轮分子泵(17)，其用于从真空室(2)排出气体；以及加热器基座(3)，其用于对载置于真空室(2)中的基板(5)进行加热。由O型圈(10)密封凸缘(11，12)的接合面。此外，在凸缘(11，12)的接合面上，在加热器基座(3)和O型圈(10)之间形成结合台阶(13)，由此防止来自加热器基座(3)的热辐射通过凸缘(11，12)的接合面到达O型圈(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 加热 设备 | ||
【主权项】：
1.一种真空加热设备，其包括：真空室，其由在接合部被接合在一起的具有开口的第一和第二构件构成；排气部件，其用于从所述真空室排出气体；以及加热部件，其被配置于所述开口中，用于对载置于所述真空室中的基板进行加热，其中，由O型圈密封所述第一和第二构件的接合部，并且在所述第一和第二构件的接合面上，在所述加热部件和所述O型圈之间形成结合台阶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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