[发明专利]金属栅极电极和制造方法无效
| 申请号： | 200910148824.2 | 申请日： | 2009-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101604664A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 黄洸汉;M·P·查德齐克;R·T·莫;R·杰哈;T·L·格雷夫斯-阿比 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/283;H01L27/04;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;陈宇萱 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了通过沉积原位硅(Si)盖来改进金属栅极器件性能的结构和方法。通过脱气工艺加热包括衬底和电介质层的晶片，然后将晶片冷却到近似室温。然后沉积金属层，然后在其上沉积原位Si盖。无真空破坏地(即在加热、冷却和金属沉积工艺的相同主结构中或者相同室中)沉积Si盖。这样，减少了在后续加工期间可用于层间氧化物再生长的氧含量以及金属栅极中俘获的氧含量。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积电介质层；加热所述衬底和所述电介质层；冷却所述衬底和所述电介质层；在所述电介质层上沉积金属层；并且在所述金属层上沉积硅(Si)盖；其中沉积所述Si盖而无来自所述加热、冷却或者金属沉积工艺的真空破坏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
