[发明专利]超自对准沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管结构及其制造方法

摘要

一种半导体器件，包括一个形成于N-型外延层之内P-型体区层；一个形成于位于P-型体区和N-型外延层之内的沟槽内的栅电极；一个紧邻栅电极的由P-型体区所形成的顶部源极区；一个沿栅电极侧壁设置的、且位于栅电极和源极之间、栅电极和P-型体区之间、栅电极和N-型外延层之间的栅绝缘体；一个位于栅电极上方的绝缘帽；以及一个沿源极侧壁和栅绝缘体侧壁设置的N+型掺杂隔片。源极包含由隔片扩散而来的N+型掺杂物。一个包含P型掺杂物的体接触区形成自N-型外延层。接触区与一个或者多个P-型体区层的P-型掺杂区以及源极相接触。制造这一器件的方法也同时公开。本发明的实施例同样可以应用于P沟道器件。

主权项

1.一种垂直型半导体器件，包含：一个形成于外延层内的体区层，其中该外延层是第一种半导体类型，而该体区层为第二种半导体类型；一个形成于体区层和外延层内的沟槽内的栅电极；一个形成于临近栅电极的、体区层之内的源极区，其中该源极区为第一种半导体类型；一个沿栅电极侧壁和底部设置的栅绝缘体，其中该栅绝缘体位于栅电极和源极区顶部之间，位于栅电极和体区层之间，以及位于栅电极和外延层之间；一个位于栅电极顶部之上的氮化物绝缘帽，其中该绝缘帽未延伸至栅电极边缘之外区域；一个沿源极区侧壁和绝缘帽侧壁设置的多晶硅隔片，其中该多晶硅隔片为第一种半导体类型，该源极区顶部包含有由多晶硅隔片扩散而来的第一种类型的半导体掺杂物，所述的多晶硅隔片具有外露于金属层的导电侧壁；以及一个含有第二种半导体类型掺杂物、且形成于体区层之内的体接触区，其中该体接触区自对准于多晶硅隔片和源极区的边缘。