[发明专利]以高密度电阻材料为主的半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910149323.6 | 申请日： | 2009-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101667588A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李明道;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L23/528;H01L21/8229;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以高密度电阻材料为主的半导体存储装置及其制造方法。本发明所揭露的一存储装置包含多个存储单元在字线跟位线之间。每一存储单元包含一二极管及多个存储元件，而每一存储元件包含一种或多种金属氧化物化合物，该二极管和该多个存储元件在一对应的字线和一对应的位线之间的电流路径上串联安置。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 电阻 材料 为主 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储装置，其特征在于，包含：多条字线；多条位线；以及多个存储单元位于该字线及该位线之间，每一存储单元包含：一二极管；以及多个存储元件，每一存储元件包含一种或多种金属氧化物化合物，该二极管及该多个存储元件是沿着一介于该多个字线的一对应的字线和该多个位线的一对应的位线之间的一电流路径以电性串联安置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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