[发明专利]固态成像装置和电子设备无效
| 申请号： | 200910149528.4 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101621069A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 藤冈丈志 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李晓冬;南 霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了固态成像装置和电子设备。该固态成像装置包括：多个感光部分，其设置成以二维的方式成排并成列地布置，每个感光部分执行光电转换；竖直转移寄存部分，其布置成与每列所述感光部分对应；水平转移寄存部分；以及纵型溢流沟道结构，其布置在所述竖直转移寄存部分的与所述水平转移寄存部分相邻的最终段处。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像装置，包括：多个感光部分，其设置成以二维的方式成排并成列地布置，每个感光部分执行光电转换；竖直转移寄存部分，其布置成与每列所述感光部分对应；水平转移寄存部分；以及纵型溢流沟道结构，其布置在所述竖直转移寄存部分的与所述水平转移寄存部分相邻的最终段处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
