[发明专利]加压加热设备及方法无效
| 申请号： | 200910149691.0 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101640167A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 伊仓和之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/677;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;付永莉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种加压加热设备及方法，其中该加压加热设备包括：基台，其构造为将待加压加热物体置于其上；加压加热头，其设置为与所述基台相对；以及压力驱动机构，其构造为相对于所述基台可移动地支撑所述加压加热头。加压加热头包括：多个加压加热工具；保持件，其构造为独立地容置每一个所述加压加热工具；单个加热块，其构造为与所述加压加热工具的端部接触从而传递热；以及多个支撑件，其构造为分别相对于所述保持件独立地和可移动地支撑所述加压加热工具。 | ||
| 搜索关键词： | 加压 加热 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种加压加热设备，包括：基台，其构造为将待加压加热物体置于其上；加压加热头，其设置为与所述基台相对；以及压力驱动机构，其构造为相对于所述基台可移动地支撑所述加压加热头，其中，所述加压加热头包括：多个加压加热工具；保持件，其构造为独立地容置所述多个加压加热工具中的每个加压加热工具；单个加热块，其构造为与所述多个加压加热工具的端部接触从而传递热；以及多个支撑件，其构造为分别相对于所述保持件独立地和可移动地支撑所述多个加压加热工具。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
