[发明专利]用于高压P阱肖特基二极管的稳固结构有效
| 申请号： | 200910150018.9 | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101771089A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 何大椿;汤乾绍;钟于彰;王哲谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高电压肖特基二极管，包括形成在半导体衬底上并具有第一宽度的深P阱。掺杂P阱设置在所述深P阱上方，并具有小于所述深P阱宽度的第二宽度。N型保护环围绕所述第二掺杂阱的上表面形成。肖特基金属设置在所述第二掺杂阱和N型保护环的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高压 阱肖特基 二极管 稳固 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的深P阱，所述深P阱具有第一宽度；设置在所述深P阱上方的掺杂的P阱，所述掺杂的P阱具有小于所述第一宽度的第二宽度；围绕所述掺杂的P阱上表面形成的N型保护环；以及设置在所述掺杂的P阱上表面上的肖特基金属。
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