[发明专利]集成电路结构及其形成方法

摘要

本发明是有关一种集成电路结构及其形成方法。该集成电路结构，包含一电容，该电容包含：一多晶硅所形成的第一电容板，包含一回应于一声波而振动的部分；及一第二电容板，围绕该第一电容板，且为固定并包含面向该第一电容板的倾斜边缘。该形成集成结构的方法，包含：提供一硅基板；形成一介电层于该硅基板上；形成一多晶硅区域于该介电层上；形成一多晶硅薄膜，其中该多晶硅薄膜由该多晶硅区域所围绕且不与该多晶硅区域电性连接；形成一自该硅基板的一下表面延伸至该多晶硅薄膜的开口；一第一金属电极，形成于该多晶硅区域上并邻接该多晶硅区域；形成一第一金属电极于该多晶硅区域上；以及形成一第二金属电极于该多晶硅薄膜上。本发明可以降低制造成本，降低制造周期，提高可靠性。

主权项

一种集成电路结构，其特征在于其包含：一电容，该电容包含：一第一电容板，由多晶硅所形成，其中该第一电容板包含一组态设定为回应于一声波而振动的部分；及一第二电容板，实质上围绕该第一电容板，其中该第二电容板为固定且包含面向该第一电容板的倾斜边缘。