[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910150300.7 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101615596A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 朴珍暤 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L21/3105;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体的图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：光电二极管；形成于光电二极管上方的层间介电层；形成于层间介电层中的包括离子注入层的波导；形成于层间介电层上方的滤色器；以及形成于滤色器上方的微透镜。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造图像传感器的方法，包括：在半导体衬底上方形成光电二极管；在包括所述光电二极管的所述半导体衬底上方形成层间介电层；通过实施离子注入工艺在所述层间介电层中形成波导；在包括所述波导的所述层间介电层上方形成滤色器；在所述滤色器上方形成平坦化层；以及然后在所述平坦化层上方形成微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
