[发明专利]激光照射设备和激光照射方法有效
| 申请号： | 200910150561.9 | 申请日： | 2005-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101599427A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;山本良明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种激光照射设备，它能通过改变向前和向后方向照射中照射光束的能量强度来制造均匀结晶的薄膜。本发明的激光照射设备包括激光振荡器和改变光束强度的装置，其中激光束斜着入射到半导体层的表面，相对于半导体层的表面扫描激光束，且光束强度根据扫描方向变化。而且，激光振荡器是连续波固体激光器、气体激光器或金属激光器。也可使用重复频率大于或等于10MHz的脉冲激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括使用第一强度的第一激光束向第一方向扫描半导体层；以及使用第二强度的第二激光束向第二方向扫描所述半导体层，其中所述第一强度大于所述第二强度，其中所述第一方向是向前的方向，并且其中所述第二方向是向后的方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
