[发明专利]抹除非挥发性内存的方法有效
申请号: | 200910150726.2 | 申请日: | 2009-06-24 |
公开(公告)号: | CN101930800A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 张鼎张;简富彦;李泓纬 | 申请(专利权)人: | 宏碁股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;H01L27/115 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种抹除非挥发性内存的方法,该方法利用源极以及漏极与衬底接触顺向偏压,将衬底接触的多数载子注入到衬底,再利用衬底与栅极间的电场加速多数载子,使多数载子获得能量后克服氧化层能障,以抹除非挥发性内存。 | ||
搜索关键词: | 除非 挥发性 内存 方法 | ||
【主权项】:
一种抹除非挥发性内存的方法,该非挥发性内存为一快闪非挥发性内存,包括一衬底、一栅极、一源极、一漏极、一电荷储存层位于该栅极以及该衬底间,以及一重掺杂的衬底接触,该方法包括下列步骤:对该栅极施加一第一电压,对该源极施加一第二电压,对该漏极施加一第三电压,以及对该衬底接触施加一第四电压,使得该源极以及该漏极与该衬底接触产生一顺向偏压,以抹除该快闪非挥发性内存,其中该第一电压为负电压,该第二电压以及该第三电压为接地,该第四电压为正电压。
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