[发明专利]新型硫属化合物半导体材料无效
| 申请号： | 200910151022.7 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101935880A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 陈文通 | 申请（专利权）人： | 陈文通 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 343009 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 新型硫属化合物半导体材料涉及新型硫属化合物半导体材料系列M3Q2X2(M＝Zn，Cd，Hg；Q＝S，Se，Te；X＝Cl，B r，I)。该材料采用固相反应法制备，用MX2和Q粉(M＝Zn，Cd，Hg；Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)，真空密封后加热反应合成并同时制备单晶体。该材料可以被应用于直流输电、太阳能电池和光电开关。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 化合物 半导体材料 | ||
【主权项】：
新型硫属化合物半导体材料，其特征是：该材料的通式为M3Q2X2(M＝Zn，Cd，Hg；Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。
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