[发明专利]二次电池及其形成方法有效
| 申请号： | 200910151146.5 | 申请日： | 2009-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101685871A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 郭鲁显;张营喆;徐镜源;河载暎 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01M10/00 | 分类号： | H01M10/00;H01M10/36;H01M10/42;H01M2/34;H01M10/04;H01M10/38 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗正云;王诚华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二次电池及其形成方法，该二次电池通过减小内部器件的尺寸和紧凑定位这些内部器件而能够被形成为相对较小。因此，该二次电池的体积被减小，且其容量被保持，从而增大该二次电池的容量密度。在一个实施例中，该二次电池包括具有盖板的裸电池和在该裸电池上并包括表面接触所述盖板的印刷电路板的保护电路模块。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种二次电池，包括：包括盖板的裸电池；以及位于所述裸电池上并包括表面接触所述盖板的印刷电路板的保护电路模块。
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