[发明专利]基板支撑框架及包含该框架的基板处理设备有效
申请号: | 200910151373.8 | 申请日: | 2009-07-02 |
公开(公告)号: | CN101621021A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 朴锡珠;黄成龙 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00;H01L31/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 李树明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是用以将基板承载至腔室的基座上或将其从该处卸载的基板支撑框架,其中基板支撑框架设置于基座上方,该框架包括:一本体,支撑该基板的一边缘部分;一第一开口部,穿过该本体的一中心部分,并对应到该基座的一中心部分;数个第一凸出部分,从该本体的一侧延伸至该第一开口部;及数个第一凹陷部分,其各者对应到该等凸出部分的相邻二者之间的一空间,其中,该等第一凸出部分的各者对应到该基座上的一第二凹陷部分,且该等第一凹陷部分的各者对应到该基座上的一第二凸出部分。 | ||
搜索关键词: | 支撑 框架 包含 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种基板支撑框架,用以将一基板承载至一腔室中的一基座上,或将其从该处卸载,其中,该基板支撑框架是设置于该基座上方,该基板支撑框架包含:一本体,支撑该基板的一边缘部分;一第一开口部,穿过该本体的一中心部分,并对应到该基座的一中心部分;数个第一凸出部分,从该本体的一侧延伸至该第一开口部;及数个第一凹陷部分,其各者对应到该等凸出部分的相邻二者之间的一空间,其中,该等第一凸出部分的各者对应到该基座上的一第二凹陷部分,且该等第一凹陷部分的各者对应到该基座上的一第二凸出部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周星工程股份有限公司,未经周星工程股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910151373.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:场效应晶体管及其制造方法和半导体装置
- 下一篇:等离子体处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造