[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供能够无需扩大具有IGBT或功率MOSFET等的功率器件的半导体装置的耐压保持区域而有效进行耐压保持并且无需进行功率器件的高电阻化而充分提高短路耐量的半导体装置。所述半导体装置的特征在于具备：形成在具有半导体层的半导体衬底上的功率器件；以包围该功率器件的方式形成在该半导体衬底上的多个保护环；以及对该多个保护环中越靠外周侧的保护环施加越高的电压的电压施加部件。

主权项

一种半导体装置，其特征在于具备：功率器件，所述功率器件形成在具有半导体层的半导体衬底上；多个保护环，以包围所述功率器件的方式形成在所述半导体衬底上，以及电压施加部件，对所述多个保护环中越靠外周侧的保护环施加越高的电压。